Samsung Electronics ha annunciato di aver sviluppato la prima DRAM LPDDR5X capace di raggiungere velocità di trasferimento dati fino a 10,7 Gbps, superando sia il chip LPDDR5X da 6,4 Gbps lanciato nel 2021 che il chip DRAM LPDDR5X da 8,5 Gbps rilasciato nel 2022.
Questa nuova DRAM LPDDR5X è stata creata con un avanzato processo produttivo a 12 nanometri, consentendo a Samsung di ottenere una dimensione del chip più piccola rispetto alle LPDDR esistenti.
La LPDDR5X da 10,7 Gbps di Samsung non solo migliora le prestazioni del 25% e la capacità del 30% rispetto alla generazione precedente, ma aumenta anche la capacità del singolo pacchetto di DRAM mobile fino a 32 gigabyte, rendendola ideale per l’intelligenza artificiale “on-device”. Questa tecnologia richiede memoria ad alte prestazioni, alta capacità e basso consumo.
Inoltre, la DRAM LPDDR5X di Samsung integra tecnologie che consentono un notevole risparmio energetico, ottimizzando la potenza in base al carico di lavoro e attivando intervalli maggiori della modalità a basso consumo per prolungare i periodi di risparmio energetico.
Gli miglioramenti apportati migliorano l’efficienza energetica del 25% rispetto alla generazione precedente, permettendo dispositivi mobili di avere una maggiore durata della batteria e ai server di ridurre il Total Cost of Ownership.
Si prevede che la DRAM LPDDR5X espanderà le sue applicazioni dalla mobilità ad altre aree che richiedono prestazioni e affidabilità più elevate come PC, acceleratori, server e automobili.
La produzione di massa dell’LPDDR5X da 10,7 Gbps è prevista entro la seconda metà dell’anno, in parallelo alla verifica con i fornitori di processori per applicazioni mobili e dispositivi mobili, e potrebbe essere utilizzata con i prossimi SoC di fascia alta.
