Durante la trentesima edizione del North America Technology Symposium, TSMC ha presentato agli esperti una versione aggiornata della roadmap dei processi produttivi in fase di sviluppo. In particolare, l’azienda ha annunciato il lavoro in corso sui transistor con un nodo a 1,6 nanometri, introducendo così una novità nel campo della tecnologia dei semiconduttori.
Simili ai transistor a 2 nanometri della compagnia, previsti per il 2025 e il 2026, i nuovi transistor a 1,6 nanometri si basano sull’innovativa architettura Gate-All-Around (GAA) e incorporano la tecnologia Super Power Rail (SPR) per migliorare il consumo energetico. Il nodo TSMC A16 è atteso per il 2026, promettendo prestazioni migliorate rispetto alle generazioni precedenti.
L’incremento delle prestazioni, la riduzione dei consumi e l’aumento del numero di transistor dei nuovi transistor A16 sono stati confrontati con i transistor N2P a 2 nanometri, evidenziando un miglioramento significativo in vari ambiti. In particolare, la tecnologia SPR si rivela vantaggiosa per applicazioni di intelligenza artificiale e calcolo ad alte prestazioni, offrendo maggiore efficienza e densità dei transistor.
Nel frattempo, TSMC ha avviato lo sviluppo del processo produttivo A14 a 1,4 nanometri, senza fornire ancora dettagli precisi sulle tecnologie coinvolte e le date di lancio previste. Tuttavia, si ipotizza che il nodo potrebbe essere introdotto sul mercato nel 2027, seguendo l’esempio di Samsung. Intel, d’altra parte, punta a raggiungere lo stesso traguardo entro il 2026.
